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SiE804DF
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
10
1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.10
0.0 8
0.06
I D = 7.6 A
T J = 125 °C
0.04
T J = 25 °C
0.1
0.02
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
3.0
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
50
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
40
2.5
I D = 250 μA
30
2.0
20
1.5
10
1.0
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100
Limited by R DS(on) *
100 μs
10
1 ms
1
10 ms
100 ms
0.1
0.01
T A = 25 °C
Single P u lse
BVDSS Limited
1s
10 s
DC
0.01
0.1
1.0
10
100
1000
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 69091
S09-0143-Rev. A, 02-Feb-09
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